Breaking News

Samsung Galaxy S22 Segera Hadir

Penasaran dengan Samsung Galaxy S22? Ada banyak cara untuk membuat smartphone lebih cepat selain meningkatkan kecepatan clock chipset. Ini bisa datang dalam bentuk penyimpanan yang lebih cepat di mana Anda dapat mengakses file lebih cepat, atau bisa juga dalam bentuk RAM, di mana lebih banyak RAM juga dapat membuat ponsel terasa lebih cepat.

Kapasitas ram jadi andalan Samsung Galaxy S22

Ini bisa menjadi salah satu perubahan yang dapat kita harapkan pada Samsung Galaxy S22 karena perusahaan baru-baru ini mengumumkan RAM LPDDR5X baru. Menurut perusahaan, RAM baru ini dikatakan 1,3 kali lebih cepat dibandingkan dengan RAM LPDDR5 sebelumnya, dan juga dikatakan lebih hemat energi dan akan mengkonsumsi daya 20% lebih sedikit.

Samsung Galaxy S22

DRAM LPDDR5X akan memberikan kecepatan throughput data hingga 8,5 gigabit per detik (Gbps), yang 1,3 kali lebih cepat dari LPDDR5 6,4Gbps. Memanfaatkan teknologi proses DRAM 14nm paling canggih di industri, ia juga akan menggunakan daya sekitar 20% lebih sedikit daripada memori LPDDR5. Selain itu, chip LPDDR5X 16Gb akan memungkinkan hingga 64 gigabyte (GB) per paket memori, mengakomodasi permintaan yang terus meningkat untuk DRAM seluler berkapasitas lebih tinggi di seluruh dunia.”

Sementara Samsung tidak menunjukkan bagaimana mereka akan menggunakan RAM ini, beberapa berspekulasi bahwa kemungkinan besar akan sampai ke Galaxy S22, yang akan diluncurkan pada tahun 2022. Ini berarti bahwa selain dari peningkatan kinerja yang biasa, kita dapat menantikan a chipset yang lebih baru. Kami juga dapat mengharapkan kecepatan RAM yang lebih cepat dan masa pakai baterai yang lebih baik.

Samsung mencatat bahwa selain perangkat seluler, RAM ini juga dapat digunakan di aplikasi lain seperti server atau bahkan mobil.

Sumber: Samsung

Check Also

OnePlus 10 Pro vs OnePlus 9 Pro

Bagaimana jika OnePlus 10 Pro vs OnePlus 9 Pro? OnePlus baru saja mengumumkan pembaruan terbaru …

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *